СПРАВОЧНИК СУПЕРСПЛАВОВ – Часть 519

»3 »18 »

__

; э

Ф

От 2-IO3

До 5- IO4

Тивления торцов от номинального зна­чения 6ри = 15-^35 %; радиальное от­носительное отклонение удельного электрического сопротивления от сред­него значения по торцу слитка Spfl = 5:5 Ю-н 20 % ; относительное отклонение сРедних значений удельного электри­ческого сопротивления по длине слитка 20-35 %,

Кремнии монокристаллический, по­лученный методом бестигельной плавки (ТУ 48-4-466—85), предназначен для производства полупроводниковых при­боров (ПЭС, БИС, СБИС). Слитки монокристаллического кремния, леги­рованные фосфором, изготовляют элек­тронного (Э) типа электрической прово­димости, а легированного бором — дырочного (Д). Монокристаллические слитки не должны иметь дислокаций и свирлевых дефектов. Концентрация атомов оптически активного кислорода (No2) не должна превышать 5- IO21 м~3, концентрация оптически активного уг­лерода (Ne) — не более 5-IO21 м-3. Слнтки имеют диаметр 78±2 мм и длину не менее 80 мм. Удельное элек­трическое сопротивление (УЭС) моно- крнсталлического кремния различных марок и ориентация продольной оси монокристаллического елнтка приведе­ны в табл. 77. Допустимое относитель­ное отклонение средних значений УЭС торцов от номинального значения УЭС составляет 20 % для марок КВЭ и 25 % для марок КВД. Допустимое радиальное отклонен ие УЭС от среднего значения по торцу не более 10 % .

Время жнзни неравновесных носите­лей заряда зависит от номинального УЭС слитка и для электронного типа электрической проводимости состав­ляет (в мке): для номинального УЭС от 0,01 до 0,5 Ом-м — не менее 400рн; св. 0,5 до 1,00 Ом-м — не менее 200рн; св., 1,00 до 1,50 Ом-м —не менее 150рн; для дырочного типа электрической, проводимости от 0,01 до 0,4 Ом-м — не менее 400рн; св. 0,4 до 1,50 Ом-м — ‘ не менее 200рн.

Монокристаллический кремний в слитках (ГОСТ 19658—81, 01СП 17 . 7930), предназначенный для приготов­ления пластнн-подложек, используе­мых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл—диэлек­трик—полупроводник, легированный бором (Б) (марки ЭКДБ), изготовляют дырочного типа электрической прово­димости (Д), и легированный фосфором (Ф) (марки ЭКЭФ) или сурьмой (С) (марки ЭКЭС) — электронного типа электрической проводимости (Э) с плот, ностью дислокаций не более IO5 м-а’ Ориентация продольной оси монокрис.’ таллического слитка кремния [Цп или [100]. Предельное отклонение плоскости торцового среза монокри. сталлических елнтков от плоскости ориентации не "должно превышать 3° Номинальные диаметры слитков 62,5 +?’ 78,51| и 102,513 мм. Концентрация кис­лорода в слитках кремния диаметром 62,5 и 78,5 мм не должна превышать 7-IO23 м-3, а в слитках диаметром 102,5 мм — 1 • IO24 м-3. Слнткн кремния с удельным электрическим сопротивле­нием более 0,03 Ом-м должны иметь время жнзни неравновесных носителей заряда: длн электронного типа электри­ческой проводимости — не менее 7,5 мке, для дырочного — не менее 2,5 мке. Десять групп марок слитков монокристаллического кремния харак­теризуются различным номинальным удельным электрическим сопротивле­нием (0,00005—0,4 Ом-м), относитель­ным отклонением средних значений удельного электрического сопротивле­ния торцов от номинального значения на 20—40 % и различным относитель­ным отклонением удельного электриче­ского сопротивления от среднего значе­ния по торцу слитка на 10—20%.

Монокристаллический кремний, пред­назначенный для производства полу­проводниковых источников тока (ТУ 48-4-258—80, ОКП 17 7215), изготов­ляется в виде монокристаллических слитков, полученных по методу Чох – ральского, диаметром 40—55 мм и длиной не менее 50 мм. Ориентация

Продольной оси монокристаллического елнтка [111] или по согласованию с

77. Удельное электрическое сопротивление и ориентация продольной оси монокристаллического слитка для различных марок кремиия (ТУ 48-4-466—85)

Ориен­тация

P – IO2, Ом. м

Марка

Р -102, Ом. м

От 1 до 50 вкл.

» 1 » 50 »

Cb 50 * 150 »

[111] [100] [Ш] [100]

КВД1 КВД2 КВДЗ КВД4

» 50 » 150 »

От 1 до 50 вкл. » 1 » 50 » Св. 50 » 150 » » 50 » 150 »