СПРАВОЧНИК СУПЕРСПЛАВОВ – Часть 520

Потребителем [100J. Плотность дисло­каций для всех марок не должна превы – шать 5- IO8 м~а.

Кремний КСД — солнечный дыроч­ного типа электрической проводимости, леГироваиный бором; значения УЭС q 003—0,03 Ом-млибо 0,05—0,45 0м-м. ‘ ‘ Кремний КСЭ — солнечный элек­тронного типа электрической проводи­мости, легированный фосфором; значе – ниЯ УЭС 0,006—0,25 Ом-м. Время жизни неравновесных носителей заряда зависит от УЭС слитков.

Монокристаллнческий кремний, по­лученный бестигельной зонной плав­кой, легированный фосфором в процессе нейтронной активации, предназначен­ный для производства силовых полу­проводниковых приборов, выпускается либо марки БО — бестнгельный одно – роднолегированный (ТУ 48-4-449—83), либо марки КОФ — кремний однород­ный, легированный фосфором (ТУ 48-4- 443—83, ОКП 17 7222).

,Слиткн монокристаллнческого крем­ния марки БО имеют диаметр 54± ±0,05 мм, длину не менее 100 мм. Ориентация продольной осн монокри­сталлического слитка [111]; отклоне­ние плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 2°. Слитки имеют электронный тип элек­трической проводимости, интервал УЭС 1,30—1,50 Ом – м, время жизни неравно­весных носителей заряда не менее 70 мкс. Плотность дислокаций не более IO5 м~а. Свирлевые – дефекты отсутст­вуют. Концентрация атомов оптически активного кислорода неболее 1- 1022м~?, оптически активного углерода не более 4-IO22 м"3.

Слиткн монокристаллического крем­ния марки КОФ имеют диаметр 44, 54, 60 либо 84 мм с погрешностью ±1 мм, Ориентация оси слитка [111], отклоне­ние плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 3°, Имеются два интервала’ номинальных значений УЭС: 0,40—2,00 и 2,10— 3,оООм-м. Время жизни неравновес­ных носителей заряда (втике) должно быть не менее полови ны УЭС (в Ом-см) Для номинальных значений УЭС 0,70— ¦’,ОО Ом ‘M и не менее 30 мкс для номи­нальных значений УЭС 0,40—0,60 J-tM-M. Время жизни неравновесных носителей заряда в слитках с номи­нальным УЭС 2,10—3,50 Ом-м должно быть не менее 100 мкс. Плотность дислокаций в слитках не более IO5 м-2, Концентрация оптически активных кис­лорода и углерода не должна превы­шать 5-IO22 м-3. Допустимое относи­тельное отклонение средних значений УЭС торцов от номинального значения и допустимое относительное отклоне­ние УЭС от среднего значения по тор­цу слитка не должно превышать соот­ветственно 12 и 7 % для слитков с номинальным значением УЭС 0,40— 2,00 Ом-м и 15 и 10% для слитков с номинальным значением УЭС 2,10— 3,50 Ом-м.

Монокристаллическнн кремний для фотопрнемников (ТУ 48-4-363—75) по­лучают как методом бестигельной зон­ной плавки (ОКП 17 724 марки КБ), так и методом Чохральского (ОКП 17 7214 марки КЧ), дырочного и электрон­ного типа электрической проводимости (легированы бором и фосфором соот­ветственно).

Некоторые электрофизические свой­ства кремния, предназначенного для фотоприемников, Приведены в табл. 78. Диффузионная длина неравновесных носителей заряда

L = 10"а У От,

Где D = 35,36 см2/с для кремния ды­рочного типа электрической проводи­мости и D = 13 см2/с для кремния электронного типа электрической про­водимости. Концентрация оптически активного кислорода должна быть не более I-IO23M-3 для марок КБ и 7-IO23 м-3 для марок КЧ. Кроме при­веденных величин, елнтки кремния различаются геометрическими разме­рами.

Монокристаллический кремний, по­лученный методом бестигельной зонной плавки из поликристаллического крем­ния водородного восстановления (ТУ 48-4-253—73, ОКП 17 7221), предназна­ченный для производства полупровод­никовых приборов, выпускается марки КВД (кремний водородный дырочного типа электрической проводимости).