СПРАВОЧНИК СУПЕРСПЛАВОВ – Часть 521

Слитки монокристаллического крем­ния марки КВД поставляются диамет­ром 18—23 мм и длиной не менее 30 мм. Ориентации продольной оси монокрис­таллического слитка [111], отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 3°. Плотность дислокаций ие более 5• 108 м-2; концен­трация атомов оптически активного кислорода не более 2- IO22 м-3.

Моиокристаллический моносилано – вый кремний (ТУ 48-4-504—88), пред­назначенный для производства pin – диодов и магнитодетекторов, изготов-

79. Удельное электрическое сопротивление моносиланового кремиия (ТУ 48-4-504—88)

Pi,

Pl,

Марка

Ом-м,

Марка

Ом. м,

Не менее

Ие менее

Кмд-1

10

КМД-6

60

КМД-2

20

КМД-10

100

КМД-3

30

КМД-20

200

КМД-4

40

КМЭ-1

10

КМД-5

50

Ляется методом бестнгельной зонной плавки в вакууме или газовой среде электронного или дырочного типа элек­трической проводимости.

Удельное электрическое сопротивле­ние марок кремния дырочного типа электрической проводимости (КМД) и электронного типа электрической про­водимости (КМЭ) приведено в табл. 79. Допустимое относительное отклонение УЭС от среднего значения по длине слитка ие более 35 %; время жизни неравновесных носителей заряда не более 500 мке для всех марок. Ориента­ция продольной оси монокристалла-" ческого слитка [111], отклонение плос­кости торцового среза от плоскости ориентации не более 3°. Плотность дислокаций не более 4. IO8 см-2; кон­центрация атомов оптически активного кислорода не более 2-IO22 м-3.

78. Некоторые электрофизические свойства кремиия, предназначенного для фотоприемннков (ТУ 48-4-363—75)

, к

* S

О О

Плотность

Днффу,

Крем­ний

Р.10», Ом-м

(PHI-PM) * X IO2, Ом-м

Ч S

Гр) О

О. ж

Дислокаций, M-*, не более

Знонная длина.

С С H

Мм,

Ие менее

КБ1

/

80—140

Э

I-IO5

0,3

КБ2

— –

80—140

Э

1« 10е—5< IO8

0,3

КБЗ

100—250

Э

MO5

0,3