СПРАВОЧНИК СУПЕРСПЛАВОВ – Часть 523

Pi-IOs, Ом – M

Подвижность носителей заряда при температуре (23 ±2) "С, м2/( В • с), не менее

Элек­троны

Дырки

От 0,1

0,18

0,13

До 0,23 вкл.

Св. 0,24

0,23

0,14

До 0,49 вкл.

Св. 0,50

0,26

0,15

До 0,89 вкл, .

Св. 0,9

0,31

0,16

До 2,4 вкл.

Св. 2,5

0,33

0,17

До 5,9

Св. 6,0

0,34

0,17

До 15,9

Св. 16,0

0,36

0,17

До 45,0

Иого (Д) типа электрической проводимо­сти. Ориентация продольной оси моно­кристаллического слитка [111]; откло­нение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 3°, Некоторые электрофизические свойства германия приведены в табл-. 81. Моно­кристаллические слитки выращивают! диаметром 18—35 мм и длиной св, 30 мм.

Монокристаллический германий, ле­гированный фосфором, электронного типа электрической проводимости (ТУ 48-4-396—77, ОКП 17 7443), предназна­ченный для производства подложен эпитаксиальных структур (марки ГЭФ – 0,001) и полупроводпнковых приборов (марка ГЭФ-0,005), выпускают с номи­нальным значением УЭС не более 0,000012 и 0,00005 Ом-м соответствен­но. Монокристаллические слитки гер­мания марки ГЭФ-0,001 имеют диаметр 20 мм н длину не менее 50 мм; слнтки германия марки ГЭФ-0,005 имеют диа­метр 25 мм и длину не менее 25 мм, Ориентация продольной оси монокрис­таллических слитков [111 j; отклонение плоскости торцового среза от плоскости

Ориентации ие более 2°. Плотность

Дислокаций для марки ГЭФ-0,001 не более 3-10′ м-2, для марки ГЭФ – 0,005 не более 5- IO8 м~2.

Сложные полупроводники типа AHIBV используются для изготовления дио­дов, транзисторов, сверхвысокочастот­ных приборов на основе эффекта Гана, модуляторов инфракрасного излуче­ния, приемников излучения, солнечных батарей, лазеров, датчиков Холла, магниторезисторов и других приборов.

В табл. 82 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсенидов и антимонидов галлия и ин­дия, Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманки (про­странственная группа Tid FVim)’

Сложные полупроводники типа A111BV выпускаются промышленностью в ши­роком ассортименте. Для характерис­тики отдельных марок полупроводни­ков используются буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается собственно полупровод­ник: АГ — арсенид галлия, ФГ — фосфид галлия, ГС—аитимоиид тал­лия, ИМ — арсеиид индия, ФИ — фосфид индия, ИС — аитимоннд индия. Справа добавляется буква, обозначаю­щая тип электропроводимости: Э — электронный, Д —дырочный. Для ар – сенида галлия после АГ добавляется буква H для слитков, полученных горизонтальной направленной кристал­лизацией, или Ч — для слитков, полу­ченных по методу Чохральского, Далее идет буква, обозначающаяйегирующую примесь: T — теллур, О — олово, Ц—цинк, Г — германий, К — крем­ний, X — хром, M — марганец. После набора прописных букв идут цифры и строчные буквы, характеризующие раз­личные параметры материала. Расшиф­ровка значений марок дана в соответ­ствующих технических условиях.

81, Электрофизические свойства германия (ТУ 48-4-291—74)

Марка

Рн. 10», Ом. м

Отклоне­ние p1 от номи­нала, %

Плотность дислокаций,

Jh-2,

Не более

Расчетная ¦ концентра, ция золота м-3, ‘ не менее

ГДЗ 0,6

0,6

±10

5-IO7

5-IO2I

ГДЗ 0,7

0,7

±10

5-10′

4-Ю21

ГДГЗ 0,6