Примесях
Концентрация ОНЗ, м-*
Теллур
Олово
Цинк
Нелегир ова н ный
Арсенид галлия
I-IOsa
0,50
2-IO22
—
—
—
0,48
4-IO2a
—
0,40
—
0,44
Б-Ю23
—
0,39
—
0,42
8- IO2a
0,39
0,38
—
—
I-IO23
0,38
0,37
0,0170
— M
2- IO22
0,36
0,34
0,0160
— Я
4-IOas
0,34
0,31
0,0140
— Я
6-IO23
0,32
0,29
0,0135
— Я
8-IO22
0,30
0,28
0,0120
— Я
1 • 10м
0,25
0,22
0,0100
— H
4-IO24
0,20
0,16
0,0080
— >9
6 – IO24
0,17
—
0,0065
_____ ц
8-IO24
0,14
___
0,0055
— ш
I-IO24
—
—
0,0050
— •я
5-IO25
—
___
0,0040
— Ш
1- IO25
—
0,0030
"" Я
От плоскости ориентации не более 3°. Подвижность основных носителей заряда должна соответствовать табл. 84.
Арсенид галлия, легированный кремнием, выпускается пяти марок (АГНК-1—АГНК-5) с номинальной концентрацией ОНЗ 9-10 м—3,5 X X IO24 м-3; подвижность ОНЗ не ниже 0,12 м2/(В-с). Плотность дислокации MOu-MO8M-2.
Выпускаются четыре марки арсенида галлия (полуизолирующий, легированный хромом, кислородом и индием) с УЭС не менее MO5 Ом-м и арсенид галлия для модуляторов марки АГЧПДО с УЭС не менее 5-IO5 Ом-м.
Моиокристаллический фосфид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов, изготовляется как электронного, так дырочного типа электрической проводимости. В качестве легирующих примесей используются сера, цинк, окись хрома. Для легирования высокоомного фосфида галлия марки ФГВ-1 используются железо, ванадий и марганец. Легирование фосфида галлия марок фГВ-2 и ФГВ-3 осуществляется хромом. Слитки монокристаллического фосфида галлия выпускаются с номинальными значениями диаметра 35, 40, 45, 50 мм и длиной не менее 30 мм. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [111] или [100]. Некоторые электрофизические свойства монокристаллических слитков фосфида галлия приведены в табл. 85.
Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей (ТУ 48-4- 464—85, ОКП 17 7591), выпускается в виде нелегированных и легированны* теллуром или кремнием монокристаллических слитков, выращенных по методу Чохральского. Длина и диаметр слитков не менее 20 мм. Плотность дислокаций в слитках не превышает I-IO8M-2. Нелегированный и легированный кремнием антимонид галлия имеет дырочный тип электрической проводимости, а легированный теллуром— электронный. Основные свойства антимонида галлия приведены в табл. 86.
Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и оптических целей (ТУ 48-4-420—80) выпускается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Брид- жмена (марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского (марка ИМЭП-1), и в виде монокристаллических слитков, нелегированных и легированных теллуром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского.