СПРАВОЧНИК СУПЕРСПЛАВОВ – Часть 528

Св. 5-IO22 до 1 • IO2^TB

ИМЭО-4

Св. 5-IO24

Имдц-з

* МО28 » I-IO81J

ИМЭО-5

7.1023—2- IO24

ИМДЦ-4

» ЫО24 > 8.101*

ИМЭТ-1

Б. 1022—9- IO23

Имдм

(1—7). IO22 Я

88. Коэффициент оптического пропускания (T) арсенида индия марки ИМЭП-1 для толщины образца (3н=0,1) мм (ТУ 48-4-420—80)

T ^пр/^пад

Длина волны, мкм

Т фпр/фпад

Длина волны, мкм

0

0,4

3,4 4,3

0,42 0,40

4,7 ^

Св. 5,3 ?

89. Электрофизические свойства монокристаллов фосфида индия j

Марка

Концентрация ОНЗ, м~ 3

Подвижность ОНЗ, мV(B-C)

Плотность % дислокаций, d

М – J

ФИЭ-1

<5-IO22 ‘

0,30

ФИЭТ-2

5.1022—5. ICF

0,25

Б-IO8 I

ФИЭТ-3

5. Ю23—5-IO24

0,10

ФИДЦ-1

5. IO23-MO25

MOa J

ФИДЦ-2

1. Ю24—8« IO24

Монокристаллический фосфид индия, предназначенный для производства по* лупроводниковых приборов, изготоа* ляют электронного (ФИЭ) и дырочного (ФИФ) типа электрической проводи­мости. В качестве легирующих элемен­тов используют теллур или цинк. Ос­новные электрофизические свойства различных марок фосфида индия при­ведены в табл. 89.

Антимонид индия (ТУ 48-4-292—85) Поликристаллический и монокристал­лический, предназначенный для произ­водства фотосопротивлений и других полупроводниковых приборов, полу­чают по методу Чохральского с ориен­тацией продольной оси слитка [211]. Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 3°.

90. Электрофизические свойства антимонида индия (ТУ 48-4-292—85)

¦

Подвижность

Плотность

Марка

Концентрация ОНЗ, м"»

(Pj-Рг), Ом. м

ОНЗ, м2/(В ¦ с),

Дислокаций,

М"2, не более

Не менее

ИСД-1

1. IO18—5- IOle

0,5—5,0

0,3

5-10«

ИСД-2

З. Ю"— з. IO18

0,5—3,0

0,4

5.10«

Исд-3

5- IO18—3- IOle

0,5-2,5

0,5

Ы0′-

ИСД-Зу

5- IO18—1,5-IO19

0,65—2,0

0,5

1 -107