3
3,80
5,8-10?
—.
10СЧ12
0,110
640
10
300
9,8
7
4,60
5,2-IO4
—.
15СЧ
0,120
720
9
320
4,8
6
4,5
6,8-IO4
—.
15СЧ1
0,055
200
20
150
6,8
3
3,00
3,2-IO5
ЗОСЧ
0,070
280
13
160
9,5
2
3,90
3,3-IO5
30СЧ1
0,130
240
25
240
11,2
5
4,40
3,0-10е
—
40СЧ
0,085
72
60
90
10,2
2
4,30
9,7-10е
—
Примечание. Bs=P 0Js — измерено при напряженности поля 400— 640 кА/м; Hc определено на кольцевых образцах при напряженности поля в образце 4 кА/м; jx’ при /= 1,1 МГц; tg® при /=3000 МГц. Все измерения проведены при 200C.
Обозначения: ц’, е! — действительные чабти магнитной и диэлектрической проницаемости соответственно; tg® — тангенс угла диэлектрических потерь; ДH — ширина резонансной кривой.
9 о
О to
I I-I-
) О О <
ООО IOOO I I Nt^N
ОООООООО
."Ч
О, Я
4S!< 8-
Н
О О
CNiNCNINCNCNCNCN
О о
О ю о ю
Si++!§++
Т\ +InЦ
О) •
S а
¦ а а н
Си O-U и а,° п с я I
CU
Ш н
-SS §8
В – CJ
•&S
СП я
О S Ьй Я
О
« о.
3 в я
Л H
С ь
ООООО ООООО
Ооооо
"Т
СО <?3 CD со С"
Ооооо
I I
Ю LO с
OO LO о ю —
1Й1ЙООЮ CN CN IO СО CN (ЛОЮЮЮЮ OO t – OO 00 00 00
Оооооо
‘tT
СО (N со со СО " ~
Ю ю
§8833
— — — о о
+++++ ++++++
Со со
231 fcr ооо
Св а. <и
JfS
J
Ч
Св
О
В
П св
А,. <о о о
-х.
5 о а. о
С
ООО CN 0~0 О О OO
ООО CN о о СО CN CN – CN CN
Ю ю
CN CN
А» ооооо
W 1 — CN О O CN f-
O _____
О
О о о" <4
Г а,
О в
J
4
5
В
S
А.
Св
Iiiv/
Г о о" о
O CN QO со" – CN
CN
О из ю
3 СО CN CN —TIN —
О"
OO юю
СО CN CN
О~о"о
|
Со" t~-" OO CN CN |
ONt-; О – J-" – J- |
S A, H As IU – ч. |
I I I I I |
S S U Ев S |
I I Il I I |
|
<0 |
|||||
|
Ю Tf – J- |
О to to |
S |
|||
|
СО |
CT) – J – – J- |
I И I I |
Illlll |
||
|
OO CsI CN |