СПРАВОЧНИК СУПЕРСПЛАВОВ – Часть 526

Примесях

Концентрация ОНЗ, м-*

Теллур

Олово

Цинк

Нелегир ова н ный

Арсенид галлия

I-IOsa

0,50

2-IO22

0,48

4-IO2a

0,40

0,44

Б-Ю23

0,39

0,42

8- IO2a

0,39

0,38

I-IO23

0,38

0,37

0,0170

— M

2- IO22

0,36

0,34

0,0160

— Я

4-IOas

0,34

0,31

0,0140

— Я

6-IO23

0,32

0,29

0,0135

— Я

8-IO22

0,30

0,28

0,0120

— Я

1 • 10м

0,25

0,22

0,0100

— H

4-IO24

0,20

0,16

0,0080

— >9

6 – IO24

0,17

0,0065

_____ ц

8-IO24

0,14

___

0,0055

— ш

I-IO24

0,0050

— •я

5-IO25

___

0,0040

— Ш

1- IO25

0,0030

"" Я

От плоскости ориентации не более 3°. Подвижность основных носителей заря­да должна соответствовать табл. 84.

Арсенид галлия, легированный крем­нием, выпускается пяти марок (АГНК-1—АГНК-5) с номинальной концентрацией ОНЗ 9-10 м—3,5 X X IO24 м-3; подвижность ОНЗ не ниже 0,12 м2/(В-с). Плотность дислокации MOu-MO8M-2.

Выпускаются четыре марки арсенида галлия (полуизолирующий, легирован­ный хромом, кислородом и индием) с УЭС не менее MO5 Ом-м и арсенид галлия для модуляторов марки АГЧПДО с УЭС не менее 5-IO5 Ом-м.

Моиокристаллический фосфид гал­лия, предназначенный для производ­ства полупроводниковых приборов, из­готовляется как электронного, так дырочного типа электрической прово­димости. В качестве легирующих при­месей используются сера, цинк, окись хрома. Для легирования высокоомного фосфида галлия марки ФГВ-1 исполь­зуются железо, ванадий и марганец. Легирование фосфида галлия марок фГВ-2 и ФГВ-3 осуществляется хро­мом. Слитки монокристаллического фосфида галлия выпускаются с номи­нальными значениями диаметра 35, 40, 45, 50 мм и длиной не менее 30 мм. Ориентация продольной оси монокри­сталлического слитка [111] или [100]. Некоторые электрофизические свойства монокристаллических слитков фосфида галлия приведены в табл. 85.

Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей (ТУ 48-4- 464—85, ОКП 17 7591), выпускается в виде нелегированных и легированны* теллуром или кремнием монокристал­лических слитков, выращенных по методу Чохральского. Длина и диаметр слитков не менее 20 мм. Плотность дислокаций в слитках не превышает I-IO8M-2. Нелегированный и легиро­ванный кремнием антимонид галлия имеет дырочный тип электрической проводимости, а легированный теллу­ром— электронный. Основные свойст­ва антимонида галлия приведены в табл. 86.

Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и опти­ческих целей (ТУ 48-4-420—80) выпус­кается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Брид- жмена (марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского (марка ИМЭП-1), и в виде монокристаллических слитков, нелегированных и легированных тел­луром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского.