Арсенид галлия (ОСТ 4.032.015—80) применяется для производства электронных приборов и эпитакснальных структур. Арсенид галлия выпускается как в виде поликристаллических слитков (марка АГН-1), так и в виде монокристаллических слитков (остальные марки). Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллические слитки, ле — тированные цинком, имеют дырочный тнп электрической проводимости, остальные — электронный. Слитки арсе — нида галлия различных марок различаются концентрацией основных носителей заряда (ОНЗ), допустимым отклонением концентрации ОНЗ (табл, 83) от номинального значения (10-» 80 %), номинальными значениями диаметров слитков (20—50 мм), плотностью дислокаций (5-10′—8-IO8 м»2). Ориентация продольной оси монокрнсталли — ¦ческих слитков [111], [100], 11 Отклонение плоскости торцового среза
SsJooSgg8 ^S-fT
Toy
OJ1 tT. CO t—
OO P? »— СЧ
Ю (N Ot-O OO O O
-о
TN CO11IN tOO to CO CO
Л to с
OO-^ ООО
T — O
O
СО Ю to c^ tN in ,
M
CU
Ч
St?
Й>
IM S
5